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도시바, 산업 장비 신뢰성 향상에 기여하는 고서지 전류 내량 3300V SiC MOSFET 모듈 출시
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)(이하 도시바)는 철도 차량, 재생에너지 발전 시스템, 전력 변환 시스템 등 산업 장비용 듀얼 SiC MOSFET 모듈 ‘IX800FXF2YMS4’를 출시하며 제품군을 확대했다. 이 신제품 모듈은 도시바의 3세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 칩을 탑재해 3300V의 드레인-소스 전압 정격과 800A의 드레인 전류(DC) 정격을 갖췄다. 사양에는 서지 전류 내량 지표인 다이오드부의 I2t 한계값이 명시돼 있다.
철도 견인 인버터 및 컨버터, 재생에너지 발전 시스템, 산업용 모터 제어 장비를 포함한 산업 장비 제조업체들은 높은 효율, 소형화, 향상된 신뢰성에 대한 커지는 수요를 지속적으로 충족해야 한다. 이러한 시스템에서 이상 상태 발생 시 전력 반도체 모듈에 흐를 수 있는 큰 서지 전류가 발생하더라도 견딜 수 있도록 충분한 서지 전류 내량을 갖춰야 한다.
IX800FXF2YMS4는 최적화된 SiC 칩 설계를 적용해 이상 상태에서 다이오드부의 서지 전류 내량을 나타내는 지표인 300kA2s의 I2t 특성을 구현했다[1].
이 모듈은 1.4V(일반)[2]의 드레인-소스 온(on) 전압(센스)(VDS(on)sense)을 제공해[2] 전도 손실 감소에 기여한다. 또한 185mJ(일반)의 턴온(turn-on) 스위칭 손실(Eon)과 175mJ(일반)[3]의 턴오프(turn-off) 스위칭 손실(Eoff)[3] 특성을 통해 전체 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 이러한 특성은 장비의 신뢰성 및 효율을 높이고 냉각 시스템을 소형화하는 데 기여한다.
신제품은 실장 호환성이 뛰어난 iXPLV™ 패키지[4]를 채택했다. 은 소결(silver sintering) 접합 기술로 SiC 칩과 접합부의 내열성 및 신뢰성을 높여 산업 장비에 요구되는 175°C 채널 온도 정격을 달성했다.
이번 신제품 추가로 iXPLV™ 패키지를 적용한 도시바의 SiC MOSFET 모듈은 4종으로 늘어나 제품 선택의 폭이 넓어졌다.
도시바는 앞으로도 산업 장비용 SiC MOSFET 모듈 제품군을 확대해 다양한 장비 사양과 애플리케이션을 충족하는 폭넓은 제품 옵션을 제공할 예정이다. 또한 더 안정적이고 효율적이며 콤팩트한 산업 장비 구현에 기여할 것이다.
참고사항:
[1] 테스트 조건: Tch(초기) =175°C, VGS =-6V, 하프 사인파(half sine-wave) 10ms 1펄스(pulse), F.R.=1%
[2] 테스트 조건: ID =800A, VGS =+20V, Tch =25°C
[3] 테스트 조건: VDD =1800V, ID =800A, VGS =+20V/-6V, Cgs =100nF, RG(on) =1.2Ω, RG(off) =1.2Ω, Tch =175°C, LS ≃70nH
[4] iXPLVTM: 인텔리전트 플렉시블 패키지 로우 볼티지(intelligent fleXible Package Low Voltage)의 약자
애플리케이션
산업용 장비
·철도 견인 인버터 및 컨버터
·재생에너지 발전 시스템
·전력 변환 시스템(솔리드 스테이트 트랜스포머(SST)[5], 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 시스템(ESS) 등)
·산업용 모터 제어 장비 등
참고사항:
[5] SST: 전력 반도체를 활용해 콤팩트한 크기, 고효율 전압 변환 및 고급 전력 제어를 달성하는 차세대 변압기.
특징
·I2t 한계값(다이오드) 정격 명시: I2t=300kA2s
·낮은 드레인-소스 온 전압(센스): VDS(on)sense =1.4V (일반)
·낮은 스위칭 손실: Eon =185mJ (일반), Eoff =175mJ (일반)
· 채널 온도 정격: Tch =175°C
·iXPLVTM 패키지 채택
주요 사양
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/46N6w53)
신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
IX800FXF2YMS4
도시바의 SiC 전력 소자 제품군에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
SiC 전력 장치
* iXPLV™는 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지의 상표다.
* 기타 회사명, 제품명, 서비스명은 해당 기업의 상표일 수 있다.
* 제품 가격 및 사양, 서비스 내용, 연락처 정보를 포함한 이 문서의 정보는 발표일 기준으로 정확하지만 사전 통지 없이 변경될 수 있다.
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 소개
첨단 반도체 및 스토리지 솔루션의 선도적 공급업체인 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)는 반세기가 넘는 경험과 혁신을 바탕으로 고객과 비즈니스 파트너에게 뛰어난 개별 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다.
전 세계 1만7400명의 직원은 제품 가치를 극대화하고, 고객과의 긴밀한 협력을 통해 가치와 새로운 시장을 공동 창출하겠다는 의지를 공유하고 있다. 회사는 전 세계 사람들을 위한 더 나은 미래를 만들어가고 이에 기여하고자 한다.
자세한 정보는 다음 주소에서 확인할 수 있다. https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.
사진/멀티미디어 자료 : https://www.businesswire.com/news/home/20260923706775/en
도시바 산업 장비용 300kA²s I²t 용량을 갖춘 3300V, 800A 듀얼 SiC MOSFET 모듈 ‘IX800FXF2YMS4’
IX800FXF2YMS4는 최적화된 SiC 칩 설계를 적용해 이상 상태에서 다이오드부의 서지 전류 내량을 나타내는 지표인 300kA2s의 I2t 특성을 구현했다[1].
이 모듈은 1.4V(일반)[2]의 드레인-소스 온(on) 전압(센스)(VDS(on)sense)을 제공해[2] 전도 손실 감소에 기여한다. 또한 185mJ(일반)의 턴온(turn-on) 스위칭 손실(Eon)과 175mJ(일반)[3]의 턴오프(turn-off) 스위칭 손실(Eoff)[3] 특성을 통해 전체 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 이러한 특성은 장비의 신뢰성 및 효율을 높이고 냉각 시스템을 소형화하는 데 기여한다.
신제품은 실장 호환성이 뛰어난 iXPLV™ 패키지[4]를 채택했다. 은 소결(silver sintering) 접합 기술로 SiC 칩과 접합부의 내열성 및 신뢰성을 높여 산업 장비에 요구되는 175°C 채널 온도 정격을 달성했다.
이번 신제품 추가로 iXPLV™ 패키지를 적용한 도시바의 SiC MOSFET 모듈은 4종으로 늘어나 제품 선택의 폭이 넓어졌다.
도시바는 앞으로도 산업 장비용 SiC MOSFET 모듈 제품군을 확대해 다양한 장비 사양과 애플리케이션을 충족하는 폭넓은 제품 옵션을 제공할 예정이다. 또한 더 안정적이고 효율적이며 콤팩트한 산업 장비 구현에 기여할 것이다.
참고사항:
[1] 테스트 조건: Tch(초기) =175°C, VGS =-6V, 하프 사인파(half sine-wave) 10ms 1펄스(pulse), F.R.=1%
[2] 테스트 조건: ID =800A, VGS =+20V, Tch =25°C
[3] 테스트 조건: VDD =1800V, ID =800A, VGS =+20V/-6V, Cgs =100nF, RG(on) =1.2Ω, RG(off) =1.2Ω, Tch =175°C, LS ≃70nH
[4] iXPLVTM: 인텔리전트 플렉시블 패키지 로우 볼티지(intelligent fleXible Package Low Voltage)의 약자
애플리케이션
산업용 장비
·철도 견인 인버터 및 컨버터
·재생에너지 발전 시스템
·전력 변환 시스템(솔리드 스테이트 트랜스포머(SST)[5], 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 시스템(ESS) 등)
·산업용 모터 제어 장비 등
참고사항:
[5] SST: 전력 반도체를 활용해 콤팩트한 크기, 고효율 전압 변환 및 고급 전력 제어를 달성하는 차세대 변압기.
특징
·I2t 한계값(다이오드) 정격 명시: I2t=300kA2s
·낮은 드레인-소스 온 전압(센스): VDS(on)sense =1.4V (일반)
·낮은 스위칭 손실: Eon =185mJ (일반), Eoff =175mJ (일반)
· 채널 온도 정격: Tch =175°C
·iXPLVTM 패키지 채택
주요 사양
(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/46N6w53)
신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
IX800FXF2YMS4
도시바의 SiC 전력 소자 제품군에 대한 자세한 내용은 아래 링크에서 확인할 수 있다.
SiC 전력 장치
* iXPLV™는 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지의 상표다.
* 기타 회사명, 제품명, 서비스명은 해당 기업의 상표일 수 있다.
* 제품 가격 및 사양, 서비스 내용, 연락처 정보를 포함한 이 문서의 정보는 발표일 기준으로 정확하지만 사전 통지 없이 변경될 수 있다.
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 소개
첨단 반도체 및 스토리지 솔루션의 선도적 공급업체인 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)는 반세기가 넘는 경험과 혁신을 바탕으로 고객과 비즈니스 파트너에게 뛰어난 개별 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다.
전 세계 1만7400명의 직원은 제품 가치를 극대화하고, 고객과의 긴밀한 협력을 통해 가치와 새로운 시장을 공동 창출하겠다는 의지를 공유하고 있다. 회사는 전 세계 사람들을 위한 더 나은 미래를 만들어가고 이에 기여하고자 한다.
자세한 정보는 다음 주소에서 확인할 수 있다. https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.
사진/멀티미디어 자료 : https://www.businesswire.com/news/home/20260923706775/en
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